電子線描画装置／ELS-BODEN_50F

電子線リソグラフィによるナノメートルスケールの微細加工

■電子銃：電界放出型（TFT型）
■加速電圧：50kV
■ビーム電流値：0.1nA(100pA)から100nAまで
■最小電子ビーム径：φ2.0nm
■最小描画線幅：10nm
※現像後の仕上がり線幅は基板やレジストの塗布条件等に依存します。
■描画フィールドサイズ：□100µm、□250µm、□500µm、□1000µm、□1500µm
■最小ビーム位置決め分解能：0.1nm/dot（□100µmフィールド使用時）
■フィールドつなぎ精度：±15nm（□100µmフィールド使用時）
■重ね合わせ精度：±20nm（□100µmフィールド使用時）
■描画エリア：最大8インチ
■試料室真空度：4×10^-4 Pa以下
■試料ステージ（3種類）：
・φ2”からφ8”ウェハ（厚さ：0.25から0.78mmt）×1枚用、
・□2.5”から□7”マスク（2506,3006,4006から4009,5006から5018,6009から6015,6025,7009から7015）×1枚用、
・□10mmから□50mm小片基板（厚さ：0.5から1.5mmt）×4枚用
※基板の総重量は500g未満まで
■CADデータ形式：DXFまたはGDSⅡ
※GDSⅡ形式を推奨。DXF形式の場合は、装置専用ソフトでの変換時にエラーが発生する可能性があります。詳しくは備考欄にある「CADデータの準備について」リンク資料（PDF）をご参照ください。
■SEM観察倍率：×80倍から×500,000倍