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English 機器利用可能
本部
本部高速ディープエッチング装置
最終更新日2024年10月8日
用途
シリコンのエッチング：トレンチ（溝）形成や貫通加工可能 耐プラズマ試験
仕様
放電形式：誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma：ICP）
チャンバー温度範囲：25℃ から 80℃ まで
最大基板寸法：直径4インチ（直径100mm）静電吸着式
試料交換方式：ロードロック
高周波電源：13.56MHz ICP 1kW、BIAS 200W（装置最大300W）
ガス種と流量(Max)：
SF6 500sccm
C4F8 500sccm
CF4 100sccm
CHF3 100sccm
Ar 500sccm
O2 500sccm
C4F8デポ、SF6エッチングの高速切替可能
チャンバー圧力:2.0Paから15.0Pa
到達真空度：5.0×10-3Pa（反応室）
機器概要
- 分類
- N：半導体製造・MEMS加工
- 担当部署
- 電気技術グループ
- 導入年度
- 2011
- 型番
- RIE-400iPBT
- 製造者
- サムコ株式会社
- 対応試験規格
- 備考
設備はクリーンルーム内にあります。
小片試料および貫通加工の場合には直径4インチダミーウエハへの貼り付け加工処理が必要です。【依頼試験について】
一部試験条件によっては対応できない場合があります。
一日の試験連続時間は最長8時間とし、8時間以上の場合は8時間以降は翌日とさせていただきます。
原則として、試験開始（試験品投入）時、及び試験終了（試験品取り出し）時には、御来所いただきます。【MEMS関連設備】
以下のウェブページに記載の関連設備をご参照ください。
/research/field/mems/
料金表
設備利用'%3e%3cpath%20id='パス_322'%20data-name='パス%20322'%20d='M8,6.666A1.821,1.821,0,0,1,9.943,5H10.5a1.821,1.821,0,0,1,1.943,1.666,1.666,1.666,0,0,1-1.11,1.666,2.313,2.313,0,0,0-1.11,2.221'%20transform='translate(-8%20-5)'%20fill='none'%20stroke='%23324eb3'%20stroke-linecap='round'%20stroke-linejoin='round'%20stroke-width='1.5'/%3e%3cpath%20id='パス_323'%20data-name='パス%20323'%20d='M12,19v.006'%20transform='translate(-9.779%20-11.226)'%20fill='none'%20stroke='%23324eb3'%20stroke-linecap='round'%20stroke-linejoin='round'%20stroke-width='1.5'/%3e%3c/g%3e%3cg%20id='楕円形_100'%20data-name='楕円形%20100'%20transform='translate(2%202)'%20fill='none'%20stroke='%23324eb3'%20stroke-width='1.5'%3e%3ccircle%20cx='10'%20cy='10'%20r='10'%20stroke='none'/%3e%3ccircle%20cx='10'%20cy='10'%20r='9.25'%20fill='none'/%3e%3c/g%3e%3c/svg%3e){kind=small} | 試験項目 | 項目コード | 適用料金（税込） | |
|---|---|---|---|---|
| 中小 | 一般 | |||
| 機器利用 | （6）ドライエッチング装置 高速ディープエッチング装置※ライセンス制度対象機器 [1時間につき] | S91611 | 3,840円 | 7,090円 |
| 依頼試験 | （5）性能試験 耐プラズマ試験 ICP型 [1時間につき] | T315521 | 12,090円 | 24,180円 |
| 依頼試験 | （5）性能試験 耐プラズマ試験 ICP型（同一試験の追加） [1時間につき] | T315522 | 3,300円 | 6,600円 |
03-5530-2560
