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RIE装置
印刷用ページを表示する 更新日：2021年8月5日更新
- 分類
- N：半導体製造・MEMS加工
- 対象
- 仕様
放電形式:平行平板RF方式
最大基板寸法:直径8インチ（直径200mm）
高周波電源:13.56MHz 実用最大250W（装置最大300W）
プロセスガス:Ar、O2、CF4、SF6
真空度:制御範囲 20Pa から 100Pa まで（到達真空度 1×10-4Pa台）- 用途
- 耐プラズマ試験、アッシング、基板表面処理、ドライエッチング
- 製造者
- サムコ株式会社
- 型番
- RIE-10NRT
- 導入年度
- 2011
- 設置場所
- 本部
- グループ
- 電気技術グループ
- 試験規格対応
- 備考
設備はクリーンルーム内にあります。
装置を汚す恐れのある試料を導入する場合には、別途直径8インチシリコンウエハまたは石英基板をご用意願います。
| 設備利用 | 分類番号 | 試験項目 | 項目コード | 中小料金 | 一般料金 |
|---|---|---|---|---|---|
| 機器利用 | 9.6. | ドライエッチング装置 RIE装置 [1時間につき] | S91621 | 1,700円 | 3,310円 |
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