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高速ディープエッチング装置

印刷用ページを表示する 更新日:2016年12月19日更新
設備利用
機器利用
分類
N:半導体製造・MEMS加工
対象
 
仕様

放電形式:誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma:ICP)
試料ステージ:直径4インチ 静電吸着式
試料交換方式:ロードロック
高周波電源:ICP 1kW、BIAS 100W
プロセスガス:SF6、C4F8、O2、Ar、CHF3
C4F8デポ、SF6エッチングの高速切替可能
到達真空度:1×10-4Pa台(反応室)
最大使用圧力:15Pa

用途
シリコンのエッチング:トレンチ(溝)形成や貫通加工可能
製造者
サムコ株式会社
型番
RIE-400iPBT
導入年度
2011
設置場所
本部
グループ
電気電子技術グループ
試験規格対応
備考

ライセンス制度対象機器
設備はクリーンルーム内にあります。
シリコン基板加工専用となっております。小片試料および貫通加工の場合には直径4インチダミーウエハへの貼り付け加工処理が必要です。

設備利用料金表
設備利用 分類番号 試験項目 項目コード 中小料金 一般料金
機器利用 18.2. ドライエッチィング装置 (2)高速ディープエッチィング装置(ライセンス制度対象機器) [1時間につき] J22 3,840円 7,010円

高速ディープエッチング装置

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