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高速ディープエッチング装置
印刷用ページを表示する 更新日：2024年4月15日更新
- 分類
- N：半導体製造・MEMS加工
- 対象
- 仕様
放電形式：誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma：ICP）
チャンバー温度範囲：25℃ から 80℃ まで
最大基板寸法：直径4インチ（直径100mm）静電吸着式
試料交換方式：ロードロック
高周波電源：13.56MHz ICP 1kW、BIAS 200W（装置最大300W）
ガス種と流量(Max)：
SF6_500sccm
C4F8_500sccm
CF4_100sccm
CHF3_100sccm
Ar_500sccm
O2_500sccm
C4F8デポ、SF6エッチングの高速切替可能
チャンバー圧力:2.0Paから15.0Pa
到達真空度：5.0×10-3Pa（反応室）- 用途
- シリコンのエッチング：トレンチ（溝）形成や貫通加工可能
耐プラズマ試験 - 製造者
- サムコ株式会社
- 型番
- RIE-400iPBT
- 導入年度
- 2011
- 設置場所
- 本部
- グループ
- 電気技術グループ
- 試験規格対応
- 備考
設備はクリーンルーム内にあります。
小片試料および貫通加工の場合には直径4インチダミーウエハへの貼り付け加工処理が必要です。【依頼試験について】
一部試験条件によっては対応できない場合があります。
一日の試験連続時間は最長8時間とし、8時間以上の場合は8時間以降は翌日とさせていただきます。
原則として、試験開始（試験品投入）時、及び試験終了（試験品取り出し）時には、御来所いただきます。【MEMS関連設備】
以下のウェブページに記載の関連設備をご参照ください。
/site/electronics/mems.html/
| 設備利用 | 分類番号 | 試験項目 | 項目コード | 中小料金 | 一般料金 |
|---|---|---|---|---|---|
| 依頼試験 | 3.1.5. | 性能試験 耐プラズマ試験 ICP型 [1時間につき] | T315521 | 12,090円 | 24,180円 |
| 依頼試験 | 3.1.5. | 性能試験 耐プラズマ試験 ICP型 （同一試験の追加) [1時間につき] | T315522 | 3,300円 | 6,600円 |
| 機器利用 | 9.6. | ドライエッチング装置 高速ディープエッチング装置（※ライセンス制度対象機器） [1時間につき] | S91611 | 3,840円 | 7,090円 |
- 設備・機器に関してのご質問、依頼試験・機器利用のご予定等は、設備場所をご確認のうえ、事業所 連絡先の電話番号にご連絡ください。
- ご利用方法・ご利用料金は各ページにてご確認下さい。依頼試験のページを見る 機器利用のページを見る
- 代表的な試験の料金を表示しています。詳しくは試験担当者にお問い合わせください。
- 企業規模、業種によって料金が異なります。適用料金、支払方法は適用料金の分類をご覧ください。
