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高速ディープエッチング装置
印刷用ページを表示する 更新日：2021年8月5日更新
- 分類
- N：半導体製造・MEMS加工
- 対象
- 仕様
放電形式：誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma：ICP）
試料ステージ：直径4インチ（直径100mm）静電吸着式
試料交換方式：ロードロック
高周波電源：13.56MHz ICP 1kW、BIAS 200W（装置最大300W）
プロセスガス：SF6、C4F8、O2、Ar、CHF3、CF4
C4F8デポ、SF6エッチングの高速切替可能
到達真空度：1×10-4Pa台（反応室）
最大使用圧力：15Pa- 用途
- シリコンのエッチング：トレンチ（溝）形成や貫通加工可能
- 製造者
- サムコ株式会社
- 型番
- RIE-400iPBT
- 導入年度
- 2011
- 設置場所
- 本部
- グループ
- 電気技術グループ
- 試験規格対応
- 備考
ライセンス制度対象機器
設備はクリーンルーム内にあります。
シリコン基板加工専用となっております。小片試料および貫通加工の場合には直径4インチダミーウエハへの貼り付け加工処理が必要です。
| 設備利用 | 分類番号 | 試験項目 | 項目コード | 中小料金 | 一般料金 |
|---|---|---|---|---|---|
| 機器利用 | 9.6. | ドライエッチング装置 高速ディープエッチング装置（※ライセンス制度対象機器）[1時間につき] | S91611 | 3,840円 | 7,010円 |
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