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ECR成膜装置

印刷用ページを表示する 更新日:2021年8月5日更新
設備利用
機器利用
分類
N:半導体製造・MEMS加工
対象
 
仕様

プラズマ生成方式:電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance:ECR)
イオン銃:成膜用2基、イオンアシスト用1基 計3基のイオン銃
イオン加速電圧:成膜用 1000V から 3000V まで、アシスト用20V から 3000V まで(3レンジ)
最大試料寸法:直径100mm
試料固定方式:押さえ爪式、またはリング押さえ式(直径2インチ、直径3インチ、直径4インチ)
真空度:動作範囲 6×10-3Pa から 2×10-2Pa まで (到達真空度 1×10-4Pa台)

用途
イオンビームスパッタ成膜
製造者
株式会社エリオニクス
型番
EIS-230P
導入年度
2011
設置場所
本部
グループ
組織変更に伴う更新作業中となります。
試験規格対応
備考

設備はクリーンルーム内にあります。
重量のある試料は取付不能です(落下の恐れがあります)。
試料は水冷(室温)専用で、加熱機構は備えておりませんのでご注意ください。

料金表については料金改定に伴う更新作業中となります。
ご迷惑をおかけいたしますが、ご理解のほどよろしくお願いいたします。
ご利用料金につきましては、機器利用一覧(料金表)依頼試験一覧(料金表)をご覧ください。

ECR成膜装置

  • 設備・機器に関してのご質問、依頼試験・機器利用のご予定等は、設備場所をご確認のうえ、事業所 連絡先の電話番号にご連絡ください。
  • ご利用方法・ご利用料金は各ページにてご確認下さい。依頼試験のページを見る 機器利用のページを見る
  • 代表的な試験の料金を表示しています。詳しくは試験担当者にお問い合わせください。
  • 企業規模、業種によって料金が異なります。適用料金、支払方法は適用料金の分類をご覧ください。

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