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イオンビームスパッタ

印刷用ページを表示する 更新日:2024年6月20日更新
設備利用
機器利用
分類
N:半導体製造・MEMS加工
対象
 
仕様

プラズマ生成方式:電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance:ECR)
イオン銃:成膜用2基、イオンアシスト用1基 計3基のイオン銃
イオン加速電圧:成膜用 1000V から 3000V まで、アシスト用20V から 3000V まで(3レンジ)
最大試料寸法:直径100mm
試料固定方式:押さえ爪式、またはリング押さえ式(直径2インチ、直径3インチ、直径4インチ)
真空度:動作範囲 6×10-3Pa から 2×10-2Pa まで (到達真空度 1×10-4Pa台)

用途
イオンビームスパッタ成膜
製造者
株式会社エリオニクス
型番
EIS-230P
導入年度
2011
設置場所
本部
グループ
電気技術グループ
試験規格対応
備考

設備はクリーンルーム内にあります。
重量のある試料は取付不能です(落下の恐れがあります)。
試料は水冷(室温)専用で、加熱機構は備えておりませんのでご注意ください。

【MEMS関連設備】
以下のウェブページに記載の関連設備をご参照ください。
/site/electronics/mems.html/

設備利用料金表
設備利用 分類番号 試験項目 項目コード 中小料金 一般料金
機器利用 9.13. 成膜装置 イオンビームスパッタ [1時間につき] S92421 2,600円 5,350円

ECR成膜装置

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