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ECRイオンシャワー装置
印刷用ページを表示する 更新日:2021年8月5日更新
- 分類
- N:半導体製造・MEMS加工
- 対象
- 仕様
プラズマ生成方式:電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance:ECR)
イオン銃:成膜・エッチング用およびイオンアシスト用の2基イオン銃
加速電圧:20V から 3000V まで(3レンジ、連続可変)
プロセスガス:Ar、O2
試料ステージ:傾斜角可変ステージおよび傾斜角固定ステージの2ステージ
最大試料寸法:直径100mm
試料固定方式:押さえ爪式
真空度:動作範囲 6×10-3Pa から 2×10-2Pa (到達真空度 1×10-4Pa台)- 用途
- イオンエッチング、イオンミリング、イオンビームスパッタ成膜、イオンミキシングスパッタ成膜
- 製造者
- 株式会社エリオニクス
- 型番
- EIS-220Et
- 導入年度
- 2011
- 設置場所
- 本部
- グループ
- 電気技術グループ
- 試験規格対応
- 備考
設備はクリーンルーム内にあります。
O2ガスをご利用の際は別途ご相談ください。
直径4インチ以外の試料を導入する場合には、直径4インチウエハ等への貼り付けをお願いします。
重量のある試料は取付不能です(落下の恐れがあります)。
試料は水冷(室温)専用で、加熱機構は備えておりませんのでご注意ください。
設備利用 | 分類番号 | 試験項目 | 項目コード | 中小料金 | 一般料金 |
---|---|---|---|---|---|
機器利用 | 9.7. | 成膜装置 ECRイオンシャワー装置[1時間につき] | S91711 | 1,410円 | 2,900円 |
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