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ECRイオンシャワー装置

印刷用ページを表示する 更新日:2021年8月5日更新
設備利用
機器利用
分類
N:半導体製造・MEMS加工
対象
 
仕様

プラズマ生成方式:電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance:ECR)
イオン銃:成膜・エッチング用およびイオンアシスト用の2基イオン銃
加速電圧:20V から 3000V まで(3レンジ、連続可変)
プロセスガス:Ar、O2
試料ステージ:傾斜角可変ステージおよび傾斜角固定ステージの2ステージ
最大試料寸法:直径100mm
試料固定方式:押さえ爪式
真空度:動作範囲 6×10-3Pa から 2×10-2Pa  (到達真空度  1×10-4Pa台)

用途
イオンエッチング、イオンミリング、イオンビームスパッタ成膜、イオンミキシングスパッタ成膜
製造者
株式会社エリオニクス
型番
EIS-220Et
導入年度
2011
設置場所
本部
グループ
電気技術グループ
試験規格対応
備考

設備はクリーンルーム内にあります。
O2ガスをご利用の際は別途ご相談ください。
直径4インチ以外の試料を導入する場合には、直径4インチウエハ等への貼り付けをお願いします。
重量のある試料は取付不能です(落下の恐れがあります)。
試料は水冷(室温)専用で、加熱機構は備えておりませんのでご注意ください。

設備利用料金表
設備利用 分類番号 試験項目 項目コード 中小料金 一般料金
機器利用 9.7. 成膜装置 ECRイオンシャワー装置[1時間につき] S91711 1,410円 3,010円

ECRイオンシャワー装置

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  • 企業規模、業種によって料金が異なります。適用料金、支払方法は適用料金の分類をご覧ください。

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