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English 機器利用可能
本部
本部イオンビームスパッタ
最終更新日2024年8月29日
用途
イオンビームスパッタ成膜
仕様
プラズマ生成方式：電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance：ECR）
イオン銃：成膜用2基、イオンアシスト用1基 計3基のイオン銃
イオン加速電圧：成膜用 1000V から 3000V まで、アシスト用20V から 3000V まで（3レンジ）
最大試料寸法：直径100mm
試料固定方式：押さえ爪式、またはリング押さえ式（直径2インチ、直径3インチ、直径4インチ）
真空度：動作範囲 6×10-3Pa から 2×10-2Pa まで （到達真空度 1×10-4Pa台）
機器概要
- 分類
- N：半導体製造・MEMS加工
- 担当部署
- 電気技術グループ
- 導入年度
- 2011
- 型番
- EIS-230P
- 製造者
- 株式会社エリオニクス
- 対応試験規格
- 備考
設備はクリーンルーム内にあります。
重量のある試料は取付不能です（落下の恐れがあります）。
試料は水冷（室温）専用で、加熱機構は備えておりませんのでご注意ください。【MEMS関連設備】
以下のウェブページに記載の関連設備をご参照ください。
/research/field/mems/
料金表
設備利用'%3e%3cpath%20id='パス_322'%20data-name='パス%20322'%20d='M8,6.666A1.821,1.821,0,0,1,9.943,5H10.5a1.821,1.821,0,0,1,1.943,1.666,1.666,1.666,0,0,1-1.11,1.666,2.313,2.313,0,0,0-1.11,2.221'%20transform='translate(-8%20-5)'%20fill='none'%20stroke='%23324eb3'%20stroke-linecap='round'%20stroke-linejoin='round'%20stroke-width='1.5'/%3e%3cpath%20id='パス_323'%20data-name='パス%20323'%20d='M12,19v.006'%20transform='translate(-9.779%20-11.226)'%20fill='none'%20stroke='%23324eb3'%20stroke-linecap='round'%20stroke-linejoin='round'%20stroke-width='1.5'/%3e%3c/g%3e%3cg%20id='楕円形_100'%20data-name='楕円形%20100'%20transform='translate(2%202)'%20fill='none'%20stroke='%23324eb3'%20stroke-width='1.5'%3e%3ccircle%20cx='10'%20cy='10'%20r='10'%20stroke='none'/%3e%3ccircle%20cx='10'%20cy='10'%20r='9.25'%20fill='none'/%3e%3c/g%3e%3c/svg%3e){kind=small} | 試験項目 | 項目コード | 適用料金（税込） | |
|---|---|---|---|---|
| 中小 | 一般 | |||
| 機器利用 | （13）成膜装置 イオンビームスパッタ [1時間につき] | S92421 | 2,600円 | 5,350円 |
03-5530-2560
