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N:半導体製造・MEMS加工

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  • ECRイオンシャワー装置

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    イオンエッチング、イオンミリング、イオンビームスパッタ成膜、イオンミキシングスパッタ成膜
    依頼試験でない機器利用
  • ECR成膜装置

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    イオンビームスパッタ成膜
    依頼試験でない機器利用
  • RIE装置

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    耐プラズマ試験、アッシング、基板表面処理、ドライエッチング
    依頼試験でない機器利用
  • ウェッジワイヤボンダ

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    ワイヤ(Au、アルミ)によるチップ部品の配線
    依頼試験でない機器利用
  • エポキシダイボンダ

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    接着材(導電性ペースト、絶縁性ペースト)によるチップ部品の実装
    依頼試験でない機器利用
  • スピンコータ

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    リソグラフィ用レジスト膜の成膜、樹脂材料の塗布など
    依頼試験でない機器利用
  • スピン現像機

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    フォトレジストの現像処理
    依頼試験でない機器利用
  • ダイシングソー

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    シリコンウエハおよびガラス基板(厚さ1mm以下)の切断加工
    依頼試験でない機器利用
  • ディスペンサロボット

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    接着材、ハンダペースト等のパターンニング塗布、樹脂埋め込み等
    依頼試験でない機器利用
  • ナノインプリント装置

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    ナノインプリント
    依頼試験でない機器利用
  • フリップチップボンダ

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    チップ部品と基板のバンプ接合
    依頼試験でない機器利用
  • プラズマクリーニングシステム

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    有機物、無機物の汚れを表面プラズマ洗浄により除去。接着性改善。
    依頼試験でない機器利用
  • ボールワイヤボンダ

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    ワイヤ(Au線)によるチップ部品の配線、及びバンプ形成
    依頼試験でない機器利用
  • ボンディングテスタ

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    ワイヤプルテスト、ボールシェアテスト、ダイシェアテスト等の接合強度評価
    依頼試験でない機器利用
  • マグネトロンスパッタ

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    絶縁体、導体、磁性体の成膜
    依頼試験でない機器利用
  • マスクレス露光装置

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    フォトリソグラフィ、マスク作製、グレースケール露光
    依頼試験でない機器利用
  • 共晶ダイボンダ

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    共晶材(AuSn等)によるチップ部品の実装
    依頼試験でない機器利用
  • 高速ディープエッチング装置

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    シリコンのエッチング:トレンチ(溝)形成や貫通加工可能
    依頼試験でない機器利用
  • 触針式薄膜段差計

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    シリコンウエハ等、基板上の段差や表面形状の測定
    依頼試験でない機器利用
  • 太線ワイヤボンダ

    設置場所
    本部
    電気技術グループ
    用途
    太線ワイヤによるチップ部品の配線
    依頼試験でない機器利用

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