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English 
本部断面イオンミリング装置（クロスセクションポリッシャ）
最終更新日2026年3月29日
断面イオンミリング装置（クロスセクションポリッシャ）の外観
- 用途
金属、セラミックス、プラスチック等の光学・電子顕微鏡観察用断面加工
- 仕様
イオン加速電圧：2から6kV
イオンビーム径：500μm以上(半値幅)
ミリングスピード：100μm/h以上(6kV）
最大搭載試料サイズ：11mm（幅）×8mm（奥行）×2mm（厚さ）
試料移動範囲：X軸±3mm、Y軸±3mm
機器概要
- 分類
- C：顕微鏡：走査電子顕微鏡
- 担当部署
- 材料技術グループ
- 導入年度
- 2011
- 型番
- SM-09010
- 製造者
- 日本電子
料金表
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|---|---|---|---|---|
| 中小 | 一般 | |||
| 依頼試験 | （5）化学分析等のための事前の処置 断面イオンミリング加工によるもの [1箇所1時間につき] | T115C1S | 27,900円 | 51,070円 |
| 依頼試験 | （5）化学分析等のための事前の処置 断面イオンミリング加工によるもの （同一箇所の追加） [1時間につき] | T115C2S | 140円 | 280円 |
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