断面イオンミリング装置(クロスセクションポリッシャ)
最終更新日2024年10月8日

用途
金属、セラミックス、プラスチック等の光学・電子顕微鏡観察用断面加工
仕様
イオン加速電圧:2から6kV
イオンビーム径:500μm以上(半値幅)
ミリングスピード:100μm/h以上(6kV)
最大搭載試料サイズ:11mm(幅)×8mm(奥行)×2mm(厚さ)
試料移動範囲:X軸±3mm、Y軸±3mm
機器概要
- 分類
- C:顕微鏡:走査電子顕微鏡
- 担当部署
- 計測分析技術グループ
- 導入年度
- 2011
- 型番
- SM-09010
- 製造者
- 日本電子
- 対応試験規格
- 備考
料金表
設備利用 | 試験項目 | 項目コード | 適用料金(税込) | |
---|---|---|---|---|
中小 | 一般 | |||
依頼試験 | (5)化学分析等のための事前の処置 断面イオンミリング加工によるもの [1箇所1時間につき] | T115C1S | 27,900円 | 51,070円 |
依頼試験 | (5)化学分析等のための事前の処置 断面イオンミリング加工によるもの (同一箇所の追加) [1時間につき] | T115C2S | 140円 | 280円 |