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新しいパワー半導体材料ルチル型GeO2系混晶半導体の開発とバンドギャップ制御
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新しいパワー半導体材料ルチル型GeO2系混晶半導体の開発とバンドギャップ制御
公開日：2022年9月9日 最終更新日：2024年9月6日
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新しいパワー半導体材料ルチル型GeO2系混晶半導体の開発とバンドギャップ制御
お問い合わせ先
本件に関するお問い合わせは、下記までご連絡ください。
企画部 経営企画室
電話番号：03-5530-2521
メール：koho@iri-tokyo.jp
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